【ハンドメイド】GaN FET buffer バッファー 窒化ガリウムの落札結果

新品

電流増幅素子にガリウムナイトライド(窒化ガリウム)FETを使用したオリジナルのバッファーです。ギター/ベース両方に使えます。

電源 : 9Vセンターマイナス(BOSS等最も一般的な2.1mmのバレルコネクタが使用可能です)

※電源は内部で17Vに昇圧し12Vのローカルレギュレーション及び3段のリプルフィルタとEMIフィルタを経由して動作します。高圧投入は意味がない上に故障の原因となりますのでご注意ください。一応過電圧保護は入っています。

入力インピーダンス : 1MΩ
最小出力負荷 : 3kΩ程度
消費電流 : 8mA

以下能書きです。

昨今のトゥルーバイパスの隆盛は、音ヤセやバッファー臭さを嫌うが故のものでした。
しかしピックアップから取り出したばかりの微弱電流は、トゥルーバイバスによる無防備な接点の増加によって更なる劣化を招く結果となるケースも増えました。
バッファー臭さを嫌うが故にバッファーが必要になるという皮肉のような逆説的命題に対し、従来のシリコン半導体を増幅素子として使用する限り問題の解決は不可能であろうと考え、シリコン素子に比べ圧倒的高効率低損失且つ高応答速度を誇る窒化ガリウム(GaN)半導体を極力シンプルな構成で使用することで、
「電流のみを増幅し、原音を損なわない」という極めて単純且つ困難だったバッファーの実現に至りました。

スクリーン印刷の版作成から自室でやっているので印字の質は低めです。ご容赦願います。